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Vishay Siliconix SiRS5700DP 溝道功率 MOSFET

閱讀次數(shù):295    2024-11-27 17:25:28

Vishay 推出采用 PowerPAK® SO-8S(QFN 6 x 5)封裝的全新 150 V TrenchFET® Gen V N 溝道功率 MOSFET,旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用 PowerPAK SO-8 封裝的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP 的總導(dǎo)通電阻降低了 68.3 %,導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)( FOM )降低了 15.4 %,RthJC 降低了 62.5 %,而連續(xù)漏極電流增加了 179 %。

日前發(fā)布的器件具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的導(dǎo)通電阻(10 V 時(shí)為 5.6 mΩ)以及導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積 FOM(336 mΩ*nC),可最大限度降低傳導(dǎo)造成的功率損耗。因此,設(shè)計(jì)人員能夠提高效率,滿足下一代電源的要求,例如 6 kW AI 服務(wù)器電源系統(tǒng)。此外,PowerPAK SO-8S 封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC,可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 144 A 的持續(xù)漏極電流,從而提高功率密度,同時(shí)提供強(qiáng)大的 SOA 能力。

SiRS5700DP 非常適合同步整流、DC/DC 轉(zhuǎn)換、熱插拔開關(guān)和 OR-ing 功能。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算、超級(jí)計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ);通信電源;太陽(yáng)能逆變器;電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)工具;以及電池管理系統(tǒng)。MOSFET 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鹵素,經(jīng)過(guò) 100 % Rg 和 UIS 測(cè)試,符合 IPC-9701 標(biāo)準(zhǔn),可實(shí)現(xiàn)更加可靠的溫度循環(huán)。器件的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為 6 mm × 5 mm,完全兼容 PowerPAK SO-8 封裝。


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