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SEMIKRON整流器SKIIP 23NAB126V1

產(chǎn)品介紹

從 4A 到 1400A,電壓等級從 600V 到 1700V,IGBT 模塊可用于各種應用。這些模塊采用燒結、彈簧或壓入式觸點等關鍵技術,組裝快捷方便。可用的拓撲結構包括 CIB(轉換器逆變制動器)、半橋、H 橋、六組、3 電平等,涵蓋了各個應用領域。在這些拓撲結構中,新的 IGBT 芯片與 CAL 二極管技術相結合。新的7 代 IGBT 現(xiàn)已用于賽米控丹佛斯的功率模塊中。它們可提供更高的功率密度,尤其是在電機驅(qū)動和太陽能應用領域,樹立了新的標桿。

性能特點

快速溝槽式 IGBT

穩(wěn)健的軟續(xù)流

采用 CAL 技術的二極管

用于電氣連接的高可靠性彈簧觸點

電氣連接

UL 認證文件編號 E63532

選型指南

技術參數(shù)

產(chǎn)地:德國

連接方式:電氣連接

逆變器功率:高達 16 千伏安

典型電機功率:7.5 千瓦

安裝扭矩:2至2.5 Nm

外殼(LL x BB x HH):MiniSKiiP II 2(59 x 52 x 16)

VCES:1200 V

ICRM:25 A

技術:IGBT 3(溝槽)

重量:65 g

符合標準:E63532

產(chǎn)品應用

電子、電力、通信、光纖行業(yè)

詳細參數(shù)

部件號:25230060

安裝扭矩:2…2.5Nm

典型電機功率:7.5kW

外殼:MiniSKiiP II 2(59x52x16)

(LLxBBxHH)59x52x16

VCES:1200 V

ICnom:25A

技術:IGBT 3(溝槽)

重量:65g


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