該MOSFET能夠承受高達650伏的漏源電壓（VDS），適用于高電壓環(huán)境。低rDS（ON）意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET的電阻較小，能夠減少功耗，提高工作效率。低閾值電壓使得MOSFET在較低的柵源電壓下即可開始導通，有助于降低功耗并提高響應速度。低柵極電荷意味著MOSFET的開關速度更快，能夠減少開關過程中的能量損失。

• 結(jié)合高電壓能力、低rDS（ON）、低閾值電壓和低柵極電荷等特點，使得CDMSJ22013.8-650在功率因數(shù)校正和電源充電器等應用中表現(xiàn)良好。
• 采用先進的制造工藝和材料，確保MOSFET在高電壓、高電流條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
• 緊湊的封裝形式使得8-650易于與其他電子元件集成，降低電路設計的復雜性和成本。

產(chǎn)地：美國

漏極-源極電壓：650 V

柵極-源極電壓：30 V

連續(xù)漏極電流：13.8 A

連續(xù)漏極電流（TC=100°C）：8.7 A

脈沖漏極電流：41.4 A

正向二極管電流：13.8 A

功率耗散：35.7 W

功率耗散（TC=100°C）：14.3 W

工作溫度：-55 至 +150 °C

存儲接面溫度：-55 至 +150 °C

功率因數(shù)校正

電視電源

不間斷電源

PD 充電器

適配器