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POWEREX混合IGBT模塊QID1210006

產(chǎn)品介紹

Powerex 繼續(xù)使用新的功率半導體技術(shù)碳化硅 (SiC) 擴展我們的產(chǎn)品供應。在需要低損耗、高頻開關(guān)和/或高溫環(huán)境的電源應用中,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,SiC 具有顯著優(yōu)勢。該產(chǎn)品線包括SiC(碳化硅)MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)模塊以及混合 Si/SiC(Si IGBT/SiC SBD)模塊。

性能特點

  • 低 ESW(關(guān)閉)
  • 氮化鋁隔離
  • 分立式超快恢復飛輪碳化硅肖特基二極管
  • 低內(nèi)部電感
  • 每個模塊 2 個獨立開關(guān)
  • 隔離底板,便于散熱
  • AlSiC 基板
  • 符合 RoHS 標準

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應用

節(jié)能電源系統(tǒng),例如:風扇;泵;消費電器

高頻型電力系統(tǒng),例如:UPS; 高速電機驅(qū)動器;感應加熱;焊機; 機器人技術(shù)

高溫電力系統(tǒng),例如:電動汽車和航空系統(tǒng)中的電力電子


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