H0 系列包括一個(gè)硅或銦鎵砷雪崩光電二極管，帶有優(yōu)化的低噪聲混合前置放大器，可用于激光測(cè)距、激光雷達(dá)、分析應(yīng)用。這些器件中使用的 Si-APD 有 SAR500、SAR1500 和用于 YAG 增強(qiáng)應(yīng)用的 SAT800，在 400 nm 到 1100 nm 波長范圍內(nèi)具有響應(yīng)性，在所有波長上都具有極快的上升和下降時(shí)間。對(duì)于 900 nm 到 1700 nm 的波長范圍，我們使用了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。

• 系統(tǒng)帶寬 DC- 100 MHz
• 高靈敏度
• 超低噪音
• 光譜響應(yīng)范圍
• SiAPD：400 nm至 1100 nm
• InGaAs-APD：900 nm至 1700 nm
• 密封 TO-46 封裝
• +/- 5 伏放大器工作電壓

所有接收器均可配備InGaAs-APD，因此可覆蓋 400 - 1100 和 1000 - 1650 nm 的波長范圍。

 InGaAs-APD 接收器（SAR500H0、SAR1500H0）

產(chǎn)地：德國

存儲(chǔ)溫度：-55 ℃ 至 +100 ℃

工作溫度：-40 ℃ 至 +85 ℃

TIA 電源電壓（V）：+/- 4（Min）； +/- 5 ；+/- 6.5 （Max）

TIA 電源電流：30 mA

功率消耗：300 mW

焊接溫度（15 秒）：260 °C

噪聲測(cè)量頻率：100 kHz

操作方式：脈沖操作

有效區(qū)域直徑：0.5 mm

波長范圍：400-1000 nm

峰值靈敏度：905 nm

帶寬：DC-20 MHz

響應(yīng)度：

540 納米 1.35 MV/W

650 納米 2.00MV/W

905 納米 2.50MV/W

NEP：

540 納米 0.10  pW/rtHz

650 納米 0.06 pW/rtHz

905 納米 0.05 pW/rtHz

輸出噪聲密度：100 nV/rtHz

輸入?yún)⒖荚肼暶芏龋? pA/rtHz

輸出電壓擺幅（1 MΩ）：3 V

輸出電壓擺幅 (50 o)：1.5 V

輸出偏移電壓：25 mV

光電測(cè)量、軍事、汽車領(lǐng)域、激光測(cè)距、激光雷達(dá)、分析應(yīng)用