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ANDORsCMOS 相機(jī)Marana-X

產(chǎn)品介紹

Marana-X 是 Andor 為直接 EUV 和軟 X 射線應(yīng)用量身定制的開創(chuàng)性 sCMOS 平臺(tái)。手工打造,提供好的性能和多功能性 Marana-X 在不到 50 毫秒的時(shí)間內(nèi)讀取 4.2 兆像素高分辨率陣列,同時(shí)保持低的讀取噪聲;比類似分辨率的 CCD 探測器快數(shù)百倍。

與現(xiàn)有的 CCD 相比,新型 Marana-X sCMOS 在 EUV-1 keV 能量范圍內(nèi)具有更高的量子效率。 Marana-X 、的量子效率與其CMOS 技術(shù)相得益彰,可通過 74 fps 全幀快速實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)時(shí)間的更小化和更大的數(shù)據(jù)吞吐量。

性能特點(diǎn)

  • 高達(dá) 99% 的 QE 和低噪聲:適合光不足測量的最大信噪比。 更快地實(shí)現(xiàn)高對比度。
  • 真空冷卻至 -45℃:非常微弱的信號(hào)需要更低的本底噪聲和更長的曝光時(shí)間:不要受到相機(jī)熱噪聲的限制
  • 2 百萬像素:高像素分辨率,在擴(kuò)展視野范圍內(nèi)保持圖像清晰度。
  • 未鍍膜的背照式 sCMOS:Marana-X 采用了無涂層背照式 sCMOS 傳感器,可實(shí)現(xiàn)EUV - 軟 X 射線檢測。
  • 擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍 (EDR) 模式:在整個(gè)動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)“一次定量”,在同一圖像中捕獲高強(qiáng)度和低強(qiáng)度圖像。
  • 7% 線性度:在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)的定量精度。
  • 標(biāo)配風(fēng)扇和液體冷卻:液體冷卻可實(shí)現(xiàn)更大靈敏度

選型指南

可選功能與配件

技術(shù)參數(shù)

傳感器類型:背照式科學(xué) CMOS

陣列尺寸:2048 (W) x 2048 (H)

4.2 百萬像素

像素尺寸:6.5 x 6.5 μm

圖像區(qū):13.3 毫米 x 13.3 毫米

(對角線 18.8 毫米)

讀出模式:滾動(dòng)快門

像素讀出率: 310 MHz(快速高動(dòng)態(tài)范圍模式,16 位)

180 MHz(低噪聲模式,12 位)

 量子效率:高達(dá) 99%

讀取噪聲 (e-) 中值:1.6 e-(快速高動(dòng)態(tài)范圍模式,16 位)

1.2 電子-(低噪聲模式,12 位)

傳感器工作溫度

風(fēng)冷:-25°C(max.30°C 環(huán)境溫度)

水冷/液冷:-45°C(@16°C 水)

暗電流

風(fēng)冷 (@-25°C) :0.15 e-/像素

水冷/液冷 (@ -45°C) :0.10 e-/像素

有效區(qū)域像素井深度:

55 000 e-(快速高動(dòng)態(tài)范圍模式,16 位)

1800 e-(低噪聲模式,12 位,位深度受限)

動(dòng)態(tài)范圍:34 000:1(快速高動(dòng)態(tài)范圍模式,16 位)

數(shù)據(jù)范圍:16 位(快速高動(dòng)態(tài)范圍模式)

12 位(低噪聲模式)

線性:> 99.7%

PRNU:< 0.5% (@半光范圍)

感興趣區(qū)域 (ROI) :用戶可定義,1 像素粒度,

Min.尺寸 9(寬)x 1(高)

預(yù)定義 ROI:1608 x 1608、1200 x 1200、1024×1024、512×512、128×128

像素合并(在 FPGA 上):2 x 2、3 x 3、4 x 4、8 x 8(也提供用戶可定義的合并)

真空兼容性:>10 mbar

I/O

O:Fire Row 1, Fire Row n, Fire All, Fire Any, Arm

I:外部

觸發(fā)模式:內(nèi)部、外部、外部啟動(dòng)、外部曝光、軟件

軟件曝光事件:開始曝光 - 結(jié)束曝光(第 1 行),開始曝光 - 結(jié)束曝光(第 n 行)

圖像時(shí)間戳精度: 25 ns

PC 接口:USB 3.0和 CoaXPress

安裝法蘭:DN100CF (ConFlat) 6” O.D.固定法蘭提供 M8 或 5/16 UNC 螺紋孔

產(chǎn)品尺寸

產(chǎn)品應(yīng)用

原位射線照相

斷層掃描

光譜學(xué)

高光譜成像

HHG 源表征

EUV 投影儀

EUV 光刻


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